2025 年 11 月 27 日，拓荊科技股份有限公司（以下簡稱 “拓荊科技”）發布公告，披露 2025 年度向特定對象發行 A 股股票相關方案（修訂稿），公司擬募集資金總額不超過 46 億元，用于高端半導體設備產業化基地建設、前沿技術研發中心建設及補充流動資金三大方向，全部圍繞公司核心主營業務展開，聚焦科技創新領域，助力我國半導體產業鏈國產化提升。

    作為國內高端半導體專用設備領域的領軍企業，拓荊科技主營業務涵蓋高端半導體專用設備的研發、生產、銷售與技術服務，已形成 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD 等薄膜沉積設備產品，以及三維集成領域先進鍵合設備和配套量檢測設備，產品廣泛應用于國內集成電路邏輯芯片、存儲芯片制造產線，部分產品已在先進存儲、圖像傳感器（CIS）等領域實現量產。

    根據公告，本次募集資金中，15 億元將用于高端半導體設備產業化基地建設項目。該項目位于遼寧省沈陽市渾南區，擬新建生產潔凈間、立體庫房、測試實驗室等設施，引入先進生產配套軟硬件，打造規模化、智能化、數字化產業化基地。項目總投資預計 17.68 億元，其中部分資金來自公司首次公開發行募集資金，本次追加投資后，將大幅提升公司薄膜沉積設備產能，緩解未來產能瓶頸，滿足下游市場持續增長的需求。目前，公司已取得項目土地使用權證、用地規劃許可證等相關審批文件，項目建設期為 5 年。

    前沿技術研發中心建設項目擬投入募集資金 20 億元，總投資 20.92 億元，實施主體為拓荊創益及拓荊上海，建設地點涉及沈陽渾南區及上海臨港新片區。項目將聚焦先進薄膜沉積設備核心技術研發，包括 PE-ALD、Thermal-ALD、先進 PECVD、溝槽填充 CVD 等系列產品及工藝的研發與優化，同時開發新一代半導體智能化控制系統和控制軟件架構。研發內容覆蓋多種先進介質、金屬及金屬化合物薄膜材料工藝，將滿足先進邏輯芯片、存儲芯片、三維集成等領域對高產能、高性能設備的需求。項目建設期為 3 年，通過持續技術創新，將進一步提升公司產品工藝覆蓋面與智能化水平，強化核心競爭優勢。

    此外，11 億元募集資金將用于補充流動資金。拓荊科技所處的半導體設備行業屬于資本密集型行業，近年來公司業務規模快速增長，2022-2024 年營業收入年復合增長率達 55.08%，對流動資金的需求持續增加。本次補充流動資金將有效緩解公司營運資金壓力，優化財務結構，降低財務風險，為公司生產經營和研發創新提供穩定資金支持。

    公告指出，本次募投項目均符合國家半導體產業發展政策導向，響應了國產化替代的迫切需求。在全球貿易摩擦加劇、國內高端半導體設備自給率偏低的背景下，項目的實施將有助于推動我國高端半導體設備行業高質量發展，增強半導體產業鏈韌性與供應鏈安全自主水平。同時，依托公司持續的高研發投入、專業的研發團隊（截至 2025 年 9 月 30 日，研發人員占比達 40.72%）、豐富的技術儲備（累計申請專利 1918 項）及穩定的客戶資源，項目具備充分的實施可行性。

    拓荊科技表示，本次募集資金投向均屬于科技創新領域，是公司現有主營業務的升級、延伸和補充，與公司長期發展戰略高度契合。項目實施后，將進一步提升公司產能規模、技術創新能力和市場競爭力，助力公司抓住半導體產業快速發展的機遇，為我國集成電路產業高質量發展提供有力支撐。