香港聯交所上市企業中聯發展控股集團有限公司(股份代號:264,下稱 “中聯發展”)于 2025 年 11 月 21 日自愿刊發公告,宣布公司與龍騰半導體股份有限公司(下稱 “目標公司”)單一最大股東及董事長徐西昌簽訂不具法律約束力的諒解備忘錄,擬收購龍騰半導體最多 100% 股權,其中包括徐西昌直接持有的 24.81% 股權,徐西昌已同意溝通促成其他股東參與此次出售。
交易核心條款明確 代價方式靈活
根據公告披露,此次建議交易的代價金額預期最高介于 45 億港元至 90 億港元之間,定價主要參考目標公司最新融資估值,最終金額將由雙方協商確定并載于正式協議。支付方式方面,中聯發展擬采用現金支付、發行公司新股份(代價股份),或現金與股份結合的混合方式結清款項。
備忘錄同時約定,中聯發展有權對龍騰半導體及其附屬公司的業務、運營、資產、財務及法律等情況進行全面盡職審查。排他期為備忘錄簽署之日起 3 個月,經雙方書面協議可延長。值得注意的是,除排他期及保密條款外,該備忘錄不構成雙方任何法律責任約束。
目標公司為功率半導體龍頭 具備多重資質優勢
公告顯示,龍騰半導體是國內領先的功率半導體器件及系統解決方案提供商,不僅是陜西省半導體及集成電路重點產業鏈鏈主企業,還獲評國家工業和信息化部 “專精特新” 小巨人企業,具備研發、生產及銷售一體化的功率半導體全產業鏈布局。龍騰半導體曾于2022年初嘗試在科創板上市,但申請被終止。
作為全球最大的功率半導體消費市場,中國占據全球近半數市場份額,但中高端產品國產化率相對較低,為相關企業提供了廣闊發展空間。
龍騰半導體主導制定超結MOSFET國家行業標準,擁有388項知識產權(含183項發明專利)。建有8英寸晶圓產線,產品覆蓋超結MOSFET/IGBT/SiC器件等全系列。公司已形成高壓超結MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)及模塊、屏蔽柵溝槽(SGT)MOSFET、中低壓溝槽(Trench) MOSFET、高壓平面MOSFET、SICJBS&MOSFET等7大產品系列,廣泛應用于汽車電子、新能源發電、儲能、工業及消費電子(LED照明驅動、電源適配器、TV板卡、電池管理系統等)領域。
契合發展戰略 中聯發展拓展業務邊界
中聯發展目前核心業務涵蓋皮革制品制造及分銷、時裝鞋履及皮革配飾零售、工業大麻種植及大麻織物產品生產,以及汽車服務提供四大板塊。公司董事會表示,一直積極尋求業務擴展機會,而龍騰半導體擁有兼具產業經驗與資本視野的核心團隊,此次收購若順利落地,將助力中聯發展進一步拓展業務范圍,切入高潛力的功率半導體賽道,符合公司長遠發展戰略。
董事會認為,此次建議交易條款公平合理,符合公司及全體股東的整體利益。不過公告也提示,由于雙方尚未簽署具法律約束力的正式協議,磋商仍在進行中,建議交易未必一定落實。中聯發展提醒公司股東及投資者在買賣公司證券時務必審慎行事,后續若正式協議簽署、備忘錄終止或交易出現重大進展,公司將依照香港聯交所上市規則及相關法規及時刊發公告。
據悉,中聯發展當前執行董事包括趙靖飛、蕭妙文 MH 等八人,獨立非執行董事為賈麗欣、陳夢思等四人,本次交易由董事會統籌推進。









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